PHYSICS OF NANOTRANSISTORS: STRUCTURE, METRICS, AND CONTROL
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
the underlying structure of language proficiency and the proficiency level
هدف از انجام این تخقیق بررسی رابطه احتمالی بین سطح مهارت زبان خارجی (foreign language proficiency) و ساختار مهارت زبان خارجی بود. تعداد 314 زبان آموز مونث و مذکر که عمدتا دانشجویان رشته های زبان انگلیسی در سطوح کارشناسی و کارشناسی ارشد بودند در این تحقیق شرکت کردند. از لحاظ سطح مهارت زبان خارجی شرکت کنندگان بسیار با هم متفاوت بودند، (75 نفر سطح پیشرفته، 113 نفر سطح متوسط، 126 سطح مقدماتی). کلا ...
15 صفحه اولSolution of Vacuum Field Equation Based on Physics Metrics in Finsler Geometry and Kretschmann Scalar
The Lemaître-Tolman-Bondi (LTB) model represents an inhomogeneous spherically symmetric universefilledwithfreelyfallingdustlikematterwithoutpressure. First,wehaveconsideredaFinslerian anstaz of (LTB) and have found a Finslerian exact solution of vacuum field equation. We have obtained the R(t,r) and S(t,r) with considering establish a new solution of Rµν = 0. Moreover, we attempttouseFinslergeo...
متن کاملTheory of Ballistic Nanotransistors
Numerical simulations are used to guide the development of a simple analytical theory for ballistic field-effect transistors. When two-dimensional (2-D) electrostatic effects are small (and when the insulator capacitance is much less than the semiconductor (quantum) capacitance), the model reduces to Natori’s theory of the ballistic MOSFET. The model also treats 2-D electrostatics and the quant...
متن کاملthe relationship between locus of control, efl reading and writing achievement, and use of language learning strategies
تاثیر منبع کنترل رفتار بر روی موفقیت تحصیلی زبان آموزان انگلیسی بندرت در ایران ارزیابی شده است. هدف این تحقیق ارزیابی رابطه بین منبع کنترل رفتار زبان آموزان انگلیسی و موفقیت آنها در مهارت های خواندن و نوشتن زبان انگلیسی است. محقق همچنین رابطه بین منبع کنترل رفتار و راهبردهای یادگیری زبان انگلیسی را در این تحقیق جستجو می کند. بدین منظور محقق ابتدا نسخه فارسی پرسشنامه منبع کنترل رفتار (duttweiler...
15 صفحه اولRole of scattering in nanotransistors
We model the influence of scattering along the channel and extension regions of dual gate nanotransistor. It is found that the reduction in drain current due to scattering in the right half of the channel is comparable to the reduction in drain current due to scattering in the left half of the channel, when the channel length is comparable to the scattering length. This is in contrast to a popu...
متن کاملذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: Sensor Electronics and Microsystem Technologies
سال: 2018
ISSN: 2415-3508,1815-7459
DOI: 10.18524/1815-7459.2018.4.150488